Beschreibung
Der kosteneffiziente Infrarot-Emitter-Chip JSIR340-4 bare die ist optimiert für die NDIR Gasanalyse und andere Infrarot Messanwendungen wie DIR Spektroskopie, ATR Spektroskopie oder PAS Spektroskopie - mit Optimum im Spektralbereich von 2 bis 15 µm. Der CMOS basierten Emitter-Chip mit einer aktiven Fläche von 2,2 x 2,2 mm2 erreicht Membrantemperaturen von bis zu 750 °C. Sie ermöglicht eine langzeitstabile Strahlungsleistung für industrielle Anwendungen zur Kontrolle und Überwachung von Prozessgasen, Begleitgasen bei Umgebungstemperaturen zwischen - 20 und 85 °C.
Die Emitter-Chips sind auf Waferlevel (4 Zoll) erhältlich. Die mitgelieferte digitale Wafermap ermöglicht automatisiertes pick and place zur Systemintegration.
Der MEMS-Chip besteht aus einer mehrschichtigen Heizplattenmembran, basierend auf einem Siliziumsubstrat mit einer rückseitig geätzten Membran. Alle Dünnschichtprozesse werden mit Standard-MEMS-Prozessen und CMOS-kompatiblen Materialien durchgeführt. Die aktive C-MOSI Widerstandsschicht wird durch eine hochtemperaturstabile Metall-CMOSI-Schicht vor Alterungs- und Umwelteinflüssen geschützt.
Alle technischen Informationen können dem Datenblatt entnommen werden. Unser Sales-Team berät Sie gern zu Staffelpreisen für größere Stückzahlen.
Technische Daten
Aktive Fläche [mm²] | 2.2 x 2.2 |
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Spektralleistung [µm] | Typ. 2–15 |
Temperaturkoeffizient [ppm/K.] | Typ. 1200 |
Zeitkonstante [ms] | Typ. 23 |
Nennleistung [W] | 0,65 |
Zielgas |
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Größe [Zoll] | 4 |
Chips pro Wafer | 409 |