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Beschreibung
Der kosteneffiziente Infrarot-Emitter JSIR340-4 ist optimiert für die NDIR Gasanalyse und andere Infrarot Messanwendungen wie DIR Spektroskopie, ATR Spektroskopie oder PAS Spektroskopie. Die Membran der CMOS basierten IR-Emitter erreicht Membrantemperaturen von bis zu 800 °C. Sie ermöglicht eine langzeitstabile Strahlungsleistung für industrielle Anwendungen zur Kontrolle und Überwachung von Prozessgasen bei Umgebungstemperaturen zwischen -20 und 85 °C.
Der Silizium Filter optimiert die Strahlungsleistung im Wellenlängen Bereich von UV bis 15.5 µm.
Als SMD Package ist der JSIR340 besonders für automatisierte pick-and-place-Montage und für hohe Stückzahlen geeignet.
Der in unseren IR-Emittern verwendete MEMS-Chip besteht aus einer mehrschichtigen Heizplattenmembran, die eine hochtemperaturstabile Metall-CMOSI-Schicht enthält. Der Emitter Chip hat eine aktive Fläche von 2.2 x 2.2 mm2 und basiert auf einem Siliziumsubstrat mit einer rückseitig geätzten Membran. Alle Dünnschichtprozesse werden mit Standard-MEMS-Prozessen und CMOS-kompatiblen Materialien durchgeführt. Die aktive C-MOSI Widerstandsschicht ist gegen Alterungseinflüsse und Umwelt geschützt.
Unser Vertriebsteam berät Sie gern zu kundenspezifische Anpassungen und Staffelpreisen für hohe Stückzahlen. Weitere technische Informationen finden Sie im Datenblatt.
Downloads
Technische Daten
Gehäuse | SMD |
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Add-on | Nein |
Fenster/Filter | Available |
Füllgas | Ja |
Aktive Fläche [mm²] | 2.2 x 2.2 |
Energieverbrauch | Normal |
Spektralleistung [µm] | Typ. 2–15 |
Temperaturkoeffizient [ppm/K.] | Typ. 1250 |
Zeitkonstante [ms] | Typ. 15 |
Nennleistung [W] | 0,65 |
Zielgas |
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