C_MOSI®IR Strahler, TO46 mit Kappe

Kosteneffiziente IR Strahlungsquelle für NDIR Gasanalyse und andere Infrarot-Messanwendungen. Die Membran der MEMS IR-Emitter basiert auf C-MOSI®Technologie und erreicht Membrantemperaturen von bis zu 800° C. Sie ermöglicht eine langzeitstabile Strahlungsleistung. Die geringe benötigte Eingangsleistung des Emitters ermöglicht auch stand-alone und handheld Anwendungen. Der in unseren Infrarot-Strahlern verwendete MEMS-Chip besteht aus einer mehrschichtigen Heizplattenmembran, die eine hochtemperaturstabile Metall-CMOSI-Schicht enthält. Der Emitterchip basiert auf einem Siliziumsubstrat mit einer rückseitig geätzten Membran. Alle Dünnschichtprozesse werden mit Standard-MEMS-Prozessen und CMOS-kompatiblen Materialien durchgeführt. Die aktive C-MOSI-Widerstandsschicht ist gegen Alterungseinflüsse und Umwelt geschützt.