C-MOSI basierter IR-Emitter, TO39 mit Reflektor, offen

Der kosteneffiziente Infrarot-Emitter JSIR340-4 ist optimiert für die NDIR Gasanalyse und andere Infrarot Messanwendungen wie DIR Spektroskopie, ATR Spektroskopie oder PAS Spektroskopie. Die Membran der CMOS basierten IR-Emitter erreicht Membrantemperaturen von bis zu 800° C. Sie ermöglicht eine langzeitstabile Strahlungsleistung für industrielle Anwendungen zur Kontrolle und Überwachung von Prozessgasen, Begleitgasen bei Umgebungstemperaturen zwischen -20 und 85 °C. Die Packaging Variante im Standard TO Gehäuse mit Kappe ist geeignet für Messstrecken bis zu 2 cm.
Der in unseren IR Emittern verwendete MEMS-Chip besteht aus einer mehrschichtigen Heizplattenmembran, die eine hochtemperaturstabile Metall-CMOSI-Schicht enthält. Der Emitter Chip hat eine aktive Fläche von 2.2 x 2.2 mm² und basiert auf einem Siliziumsubstrat mit einer rückseitig geätzten Membran. Alle Dünnschichtprozesse werden mit Standard-MEMS-Prozessen und CMOS-kompatiblen Materialien durchgeführt. Die aktive C-MOSI Widerstandsschicht ist gegen Alterungseinflüsse und Umwelt geschützt.

Unser Vertriebsteam berät Sie gern zu kundenspezifische Anpassungen und Staffelpreisen für hohe Stückzahlen. Weitere technische Informationen finden Sie im Datenblatt.